5月15日，美国商务部工业与安全局(BIS)官方宣布，将严格限制华为使用美国的技术、软件设计和制造半导体芯片进而保护美国国家安全。

图片来自于网络

毫无疑问，这是美方对中国高端制造领域的再一次全力压制。之前，华为虽被列入“实体清单”成员，但仍可以利用美国技术、软件来设计半导体芯片并通过使用美国设备的海外代工厂来生产自己所需要的零部件。而现在，美国加大对华为的限制措施，这将从源头上遏制华为在半导体领域的自主研发生产。

以华为自主研发的麒麟芯片为例，最新的麒麟990 5G的性能与行业竞品相比毫不逊色。麒麟芯片与苹果A系列芯片一样，都是在ARM公版架构的基础上再创新设计后交由芯片代工厂批量生产。

在这个过程中，明显有两个被限制的对象：1、ARM架构的使用权。2、批量生产的芯片代工厂。

ARM架构是全世界超过95%的智能手机和平板电脑都采用核心技术架构。ARM公司原先是一家英国芯片设计公司，后来被日本软银公司收购变成一家日本企业。

而华为麒麟芯片的批量生产代工制造商先前一直是台积电，但随着近日台积电宣布将耗资120亿美金在美国建立5nm芯片加工厂，华为也开始脱离台积电代工，而选择本土企业中芯国际代工生产。

图片来源于网络

目前，华为麒麟990 5G所采用的是7nm+EUV生产工艺。而中芯国际最好的工艺是14nm FinFET生产工艺，也就是说中芯国际需要加大发展，突破技术瓶颈之后才能跟得上最新半导体行业的发展趋势。

5月15日晚，中芯国际发布公告，国家大基金二期与上海集成电路基金二期同意分别向附属公司中芯南方公司注资15亿美元、7.5亿美元。国家层面的加大半导体领域发展的决定再次显现。

国产替代进口已经到了一个刻不容缓的关键时刻，而在众多本土提供半导体制造设备的上市公司当中，中微公司绝对是一个高点坐标。

高端半导体设备的领军者

中微公司全称中微半导体设备(上海)股份有限公司。公司是面向全球的高端半导体设备公司，主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向全球集成电路和LED芯片制造商提供极具竞争力的高端设备和高质量服务，为全球半导体制造商及其相关的高科技新兴产业公司提供加工设备和工艺技术解决方案。公司主要产品包括：刻蚀设备、MOCVD设备、VOC设备等。

半导体设备是半导体产业的基石，其投资总额占半导体产线总投资的75%，是典型的高垄断、高技术，高附加值的行业。中国大陆半导体设备需求量约占全球总量的21%，已成为全球第二大半导体设备需求市场。全球半导体设备前五大生产厂商占据着全部市场65%的份额，而国产半导体设备仅占据1-2%的市场份额，国产替代进口的潜力巨大。另外，由于美国对华高科技企业的再次全力打压，半导体芯片领域的国产替代进口的已经踩上了时代改革的步伐。

公司主营产品为等离子体刻蚀设备和MOCVD设备。

刻蚀设备部分技术水平和应用领域已达到国际同类产品的标准，并已应用于全球最先进的7纳米和5纳米生产线，正逐步打破国际领先企业在国内市场的垄断。

MOCVD设备用途向MiniLED、MicroLED、功率器件等诸多新兴领域拓展。公司MOCVD产品优势明显，在2018年下半年，占据了全球新增氮化镓基LEDMOCVD设备市场的60%以上。

中微公司的核心竞争力

1、领先的高端半导体设备

作为国产高端半导体设备领军者，公司CCP、ICP和深硅刻蚀设备技术已经可以比肩国际大厂设备，已被广泛应用于国际一线客户65纳米到5纳米工艺。CCP刻蚀设备已达到国际先进水平，ICP刻蚀设备正加速技术追赶国际先进水平。

公司电容式（CCP）刻蚀设备已用于台积电7nm/5nm逻辑制程，可望进入长江存储128层3DNAND存储产线。A、逻辑芯片领域：公司刻蚀设备已运用在国际知名客户65纳米到7纳米的芯片生产线上；同时，也已开发出5纳米刻蚀设备用于若干关键步骤的加工，并已获得行业领先客户的批量订单。公司目前正在配合客户需求，开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺，能够涵盖5纳米以下刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。B、存储芯片领域：公司刻蚀设备在3DNAND芯片制造环节，公司的电容性等离子体刻蚀设备可应用于64层的量产，同时公司根据存储器厂商的需求正在开发新一代能够涵盖128层关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。

刻蚀设备分为湿法刻蚀和干法刻蚀，后者为当前主流，且不断向低压、高密度等离子浓度的ICP方向演进。薄膜沉积设备与刻蚀作用机理相反，受光刻机EUV波长限制，3DNAND极高深宽比和逻辑芯片的先进制程工艺需要靠刻蚀和薄膜沉积的多重掩膜版技术突破。

公司电感式（ICP）刻蚀设备正在加速技术提升：公司的电感性等离子刻蚀设备已经在多个逻辑芯片、存储芯片厂商的生产线上量产，根据客户的技术发展需求，正在进行下一代产品的技术研发，以满足7纳米以下的逻辑芯片、1X纳米的DRAM芯片和128层以上的3DNAND芯片等产品的ICP刻蚀需求，并进行高产出的ICP刻蚀设备的研发。

2、国产替代进口周期的全面爆发

随着中美在先进高端制造领域的摩擦不断，中国将半导体行业聚焦国内的基本策略也将逐步显现，这将加快本土半导体设备需求强劲增长。国内半导体行业正处于晶圆产能扩张的历史机遇期，逆周期投资为本土设备需求提供了较强成长韧性。目前中芯国际、长江存储、合肥长鑫等本土领军企业正分别在逻辑电路芯片、3DNAND、DRAM存储芯片领域布局先进制程产能且技术逐步成熟，为国产设备替代进口提供了良好的时间窗口。

以长江存储为例，公司2020年Q1在长江存储刻蚀设备中市占率22%，较19年提升9.7pp。19年国内刻蚀设备市场规模达226亿元，UVLED、Micro/MiniLED等新需求推动用MOCVD增长。随着公司在逻辑芯片大马士革和3DNAND极高深宽比刻蚀工艺以及UVLED、Micro/MiniLED用MOCVD的研发不断推进，随着公司产品市占率有望继续提升，公司业绩有望在本次国产替代进口的过程中充分受益。

3、不断加强的研发创新能力

公司积累了深厚的技术储备和丰富的研发经验，这一优势保证了公司产品和服务的不断进步。公司拥有多项自主知识产权和核心技术，截至2019年末，公司已申请1,467项专利，其中发明专利1,297项；已获授权专利1,015项，其中发明专利859项。

2019年公司研发经费投入达4.25亿元，同比增长50.74%，占营业收入比例为22%。；研发人员数量为276人，同比增长15%，占公司员工总人数的比例为38%。报告期内公司产品研发持续推进，获得较多进展：

A、逻辑集成电路制造环节：公司刻蚀设备已运用在国际知名客户65nm到7nm的芯片生产线上；同时已开发出5nm刻蚀设备用于若干关键步骤的加工，并已获得行业领先客户的批量订单。

B、3DNAND芯片制造环节：公司CCP刻蚀设备可应用于64层的量产，同时正在开发新一代能够涵盖128层关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。

C、ICP刻蚀设备：已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产，并在进行下一代产品的技术研发，以满足7纳米以下的逻辑芯片、1X纳米的DRAM芯片和128层以上的3DNAND芯片等产品的ICP刻蚀需求，并进行高产出的ICP刻蚀设备的研发。

新基建有望带动公司业绩增长

2019年公司营收19.47亿元，同比增长18.77元；其中专用设备收入15.87亿元，同比增长13.55%；公司依托在刻蚀设备、MOCVD设备及其他设备领域领先的技术优势以及良好客户基础，在逻辑芯片、3DNAND、DRAM等领域均有较好的业务拓展，业务规模不断扩大，销售收入不断增长。公司净利润增长主要来自政府对于前道刻蚀设备的高强度支持，政府补助大幅增加，推动2019年度公司归属于上市公司股东净利润0.59亿元，同比增长334.02%。

结束

虽然短期公司业绩的增长依旧得益于政府对行业的大力扶持。但国产替代进口的大趋势在可以预见的时间周期内将不会改变，在落后就要挨打的半导体领域，奋起直追才是中国工业向先进高端制造业转变的必由之路，而作为国产半导体行业中为数不多，能和世界先进技术在同一起跑线上的中微公司值得投资长期持续关注。

本文仅代表作者个人观点，不代表道科创平台。文章观点仅供交流、分享，不构成对投资人的任何投资建议。据此操作，风险自担。

作者：毅林

来源：道科创