光刻机的成长之路！
我们本周倒是锁定了光刻机概念，因为板块异动了，周末预期还会有发酵。
光刻机作为半导体制造的核心设备，其技术水平直接决定了芯片的制程工艺和性能。
长期以来，全球市场被ASML、尼康、佳能三家巨头垄断，中国光刻机国产化率不足10%。技术封锁倒逼自主创新。
2025年，中国在光刻技术领域取得了一系列突破性进展：中科院成功研发了固态深紫外激光技术，能够发射出193nm的光，这一波长被普遍应用于DUV光刻机，标志着我国在DUV光刻机领域取得了重大突破。
上海微电子已实现90nm光刻机的量产，28nm DUV光刻机也进入量产阶段。
更令人振奋的是，HW与中芯国际宣布利用现有DUV设备开发3nm芯片，展现出中国企业在成熟制程上的极限突破能力。
在更前沿的EUV（极紫外光刻）领域，中国研发进展加速。奥普光电由中科院长春光机所控股，承担了国家“极紫外光刻关键技术”的研发任务，并成功突破高精度光栅尺技术。技术突破的背后是国家战略的强力支持。
2025年6月，国务院常务会议强调加快推进高水平科技自立自强，国家集成电路产业投资基金三期重点攻克光刻机与芯片设计软件等关键领域短板。
工信部已将光刻机列入《首台套重大技术装备目录》，补贴力度加大。