电子板块获资金净流入,关注科创芯片设计ETF国联安(588780)——运作时间最长、估值创新低的科创芯片设计ETF
导语
11月2日,科创芯片设计ETF国联安(588780)上涨2.39%,收报0.727元,全天成交1.50亿元,该ETF最新规模8.19亿元,在跟踪上证科创板芯片设计主题指数(950162.CSI)的ETF中排前三。
科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪的上证科创板芯片设计主题指数(950162.CSI)今日上涨2.7%。前一个交易日该指数下跌5.60%,获机构净主动买入7.73亿元;最新市盈率处于指数上市以来0%分位,估值处于历史极低水平。今日A股三大指数集体上涨,芯片板块情绪回暖。
消息面上,今日电子板块获资金净流入,半导体板块集体反弹;新洁能、星宸科技等芯片设计公司三季报业绩高增。产业面,长鑫科技4F2 DRAM架构取得关键进展,有望带动国产存储扩产。
产品方面,科创芯片设计ETF国联安(588780)是全市场首只跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF,2024年12月成立以来运作时间最长;基金管理费率0.50%/年、托管费率0.10%/年,采用完全复制法紧密跟踪指数,前十大成分股覆盖海光信息、寒武纪、澜起科技、芯原股份、晶晨股份等科创板芯片设计龙头。(另有场外联接A:029413,C:029414 于11月3日发行)
消息面:电子板块资金回流,三季报业绩密集兑现
据OpenRouter最新测算,截至11月1日,中国大模型周调用量已连续27周稳居全球首位;海光信息、寒武纪等国产芯片龙头最新披露的三季度“成绩单”,成为国产算力商业化落地提速的生动注脚。在行业“开花结果”的背后,离不开IP核这一“幕后英雄”。
IP核是预先设计并验证好、可重复使用的芯片电路模块,对芯片设计而言就像“积木块”。其中,高速接口IP核承担芯片与芯片、芯片与内存、芯片与各类外部设备之间海量数据的传输与吞吐,且必须基于特定芯片生产工艺开发验证,是技术门槛和产业价值都极高的芯片核心电路模块——没有先进工艺高速接口IP核,AI/GPU、智能驾驶、网络通信、消费电子等SoC芯片都设计不出来,先进工艺生产厂也无法服务芯片设计公司完成流片量产。”
产业催化上,今日电子板块获资金净流入,半导体板块集体反弹,格科微涨超12%,翱捷科技涨超11%,沪硅产业涨超9%。三季报方面,新洁能Q3归母净利润同比增长44.61%,星宸科技Q3归母净利润同比增长752.76%,芯片设计公司业绩密集兑现。国内方面,长鑫科技4F2 DRAM架构取得关键进展,采用垂直沟道设计,有望增加刻蚀、原子层沉积、离子注入等国产设备需求,叠加国内存储扩产和国产替代加快。
行情数据:科创芯片设计ETF国联安(588780)上涨2.39%,近20日合计申赎净流入1.36亿元
今日A股三大指数集体上涨,创业板指涨1.87%,科创50指数收涨3.11%。截至11月2日收盘,科创芯片设计ETF国联安(588780)上涨2.39%,最新规模8.19亿元,在跟踪上证科创板芯片设计主题指数(950162.CSI)的ETF中排前三,同时也是该指数挂钩ETF产品中,成立时间最早、运作时间最长的。
科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪上证科创板芯片设计主题指数,截至10月30日,上证科创板芯片设计主题指数(950162)近三年累计上涨115%,大幅超越同期科创50近三年涨幅。
资金面,科创芯片设计ETF国联安(588780)已经连续4个交易日(10.27-10.30)获申赎净流入合计近7000万元,近20日合计申赎净流入1.36亿元。

(数据来源:Wind,截至2026.11.02)
机构观点:国金证券:Al算力与存储周期共振,盈利弹性持续释放。
国金证券发布研报称,半导体设计板块2026年前三季度实现营收1294.43亿元,同增41.58%,归母净利润317.14亿元,同增129.73%。其中,2026Q3实现营收497.20亿元,同增49.35%,环增10.02%;归母净利润124.92亿元,同增140.73%。AI算力需求增长推动高性能计算芯片及配套芯片持续放量,存储价格上行带动相关设计公司盈利改善;端侧AI硬件升级,持续拉动高性能SoC、大容量存储、CIS等芯片需求。(信息来源:国金证券 《AI覆铜板/PCB三季度业绩亮眼,Q4有望持续》 2026年11月01日)
国联民生在10月27日发布的电子行业半导体超级周期系列报告中指出,磷化铟衬底是光连接之基,AI数据中心需求爆发推动高速光模块放量,磷化铟作为激光器芯片核心衬底材料需求持续高增。报告指出,随着1.6T/3.2T光模块渗透率提升,磷化铟衬底市场规模有望迎来爆发式增长,建议关注上游材料及光芯片环节。(信息来源:国联民生证券《电子行业半导体超级周期系列:磷化铟衬底:光连接之基》2026年10月27日)
招银国际在10月27日发布的半导体行业报告中指出,湾芯展2026论坛交流释放积极信号,全球半导体产业在AI需求驱动下景气持续向上。报告指出,台积电、SK海力士等头部晶圆厂与存储大厂Q3业绩集体超预期,AI算力与HBM需求推动产业链订单能见度延伸至2027年以后。(信息来源:招银国际《半导体行业:湾芯展2026论坛交流总结》2026年10月27日)
业绩面/行业景气:台积电三星业绩超预期,三季报大面积预增
台积电Q3营收467亿美元同比增41%,连续六季创新高
台积电10月15日公布2026年Q3财报,合并营收467.2亿美元,同比增长41.2%、环比增长16.2%,超出公司自身指引区间;归母净利同比增长68.7%,连续第六个季度刷新单季纪录。Q3毛利率66.4%,2纳米制程占晶圆销售金额8%,7纳米及更先进制程合计占79%。公司Q4营收指引523亿至543亿美元,并表示客户需求极其强劲且远高于供应,2026至2028年资本支出将显著高于此前三年。高性能计算(HPC)平台已超越手机成为第一大收入来源。
三星Q3营业利润同比增782%,存储芯片利润占比创新高
三星电子Q3合并销售额约195万亿韩元(约9768亿元人民币),同比增长126.6%;营业利润约107.4万亿韩元(约5380亿元),同比增长782.5%,连续四个季度销售额和营业利润双创单季新高。存储芯片为三星最大利润来源,AI基建热潮令存储芯片供不应求、价格大涨。国内方面,半导体三季报大面积预增:长川科技前三季净利预增98%-110%,海光信息前三季营收超140亿元,澜起科技Q3净利预增153.6%-174.7%。
SEMI预测设备销售额连续五年增长,AI驱动超级上行周期
SEMI最新预测显示,全球半导体产业正处在AI驱动的超级上行周期中,2026年全球半导体制造设备(OEM)总销售额将达1659亿美元创历史新高,同比增长23.2%;2028年将达创纪录的2295亿美元,连续五年实现增长。国际半导体产业协会预计这一增长势头至少延续至2028至2029年。TrendForce数据显示Q4 DRAM合约价环比上涨约20%,存储供需偏紧或延续至2027年。
在此背景下,国产芯片设计作为产业链中价值量最高、技术最密集的环节,三季报业绩进入集中兑现期。从CPU、GPU到存储接口、端侧SoC,国产设计公司受益于AI算力需求与国产替代双轮驱动,订单能见度持续提升。
在此背景下,国产芯片设计作为产业链中“价值最高、技术最密集”的环节,订单能见度持续提升。从CPU、GPU到存储、模拟芯片,国产设计公司正全面切入政企采购与AI算力主战场,国产替代逻辑从预期兑现为业绩,设计环节优先受益。
产品亮点:首只跟踪科创板芯片设计指数的ETF基金,运作时间最长
科创芯片设计ETF国联安(场内代码:588780;场外联接;A:029413,C:029414)成立于2024年12月11日,2024年12月26日上市,是目前全市场首只跟踪科创板芯片设计板块的产品。场外联接基金A:029413,C:029414于2026年11月3日发行。
基金管理人为国联安基金管理有限公司,由中国太保控股的太平洋资产管理(51%)与德国安联集团(49%)合资组建;基金经理为章椹元、黄欣,团队平均从业年限19年以上,具备丰富的指数及指数增强产品管理经验。
基金紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数(950162.CSI),追求跟踪偏离度和跟踪误差的最小化,业绩比较基准为该指数收益率。基金管理费率0.50%/年,托管费率0.10%/年,产品风险等级R4(中高风险),适合积极型(C4)及以上投资者参与。最小申购、赎回单位为200万份。
14只科创板芯片设计ETF基本资料
| 代码 | 基金名称 | 成立日 | 最新净值 | 管理费率 | 过去1年 超额收益 | 规模 |
| 588780 (另有场外联接(A:029413,C:029414 于11月3日发行) | 科创芯片设计ETF国联安 | 2024-12-11 | 0.92 | 0.50% | 1.84% | 9.41 |
| 589210 | 科创芯片设计ETF广发 | 2025-12-11 | 0.63 | 0.50% | 0.81% | 8.24 |
| 589030 | 科创芯片设计ETF易方达 | 2025-12-31 | 1.07 | 0.50% | 1.58% | 9.70 |
| 589070 | 科创芯片设计ETF天弘 | 2026-01-15 | 1.00 | 0.50% | 1.05% | 20.44 |
| 589170 | 科创芯片设计ETF鹏华 | 2026-01-28 | 1.01 | 0.50% | 0.31% | 1.52 |
| 589250 | 科创芯片设计ETF浦银 | 2026-03-18 | 1.16 | 0.50% | 0.58% | 0.82 |
| 589260 | 科创芯片设计ETF国泰 | 2026-03-25 | -- | 0.50% | 0.32% | 1.68 |
| 589290 | 科创芯片设计ETF汇添富 | 2026-06-17 | 0.74 | 0.50% | 0.16% | 0.94 |
| 589350 | 科创芯片设计ETF银华 | 2026-06-18 | 0.72 | 0.50% | -0.06% | 1.65 |
| 589390 | 科创芯片设计ETF招商 | 2026-06-30 | 0.71 | 0.50% | 0.03% | 9.14 |
| 589420 | 科创芯片设计ETF永赢 | 2026-06-30 | 0.71 | 0.50% | 0.07% | 2.60 |
| 589400 | 科创芯片设计ETF富国 | 2026-06-30 | 0.71 | 0.50% | 0.17% | 1.98 |
| 589430 | 科创芯片设计ETF华宝 | 2026-08-27 | 0.94 | 0.50% | 0.07% | 0.96 |
| 589480 | 科创芯片设计ETF嘉实 | 2026-09-14 | 0.94 | 0.50% | 0.05% | 1.26 |
(数据来源:Wind,基金净值截至2026年9月30日。基金净值随市场波动,不代表未来表现。)
科创芯片设计指数:自"924"以来,上行期涨幅359.76%,同类指数第一
上证科创板芯片设计主题指数自2024年9月24日行情以来,截至2026年5月20日,累计涨幅359.76%,在10只半导体相关指数中区间回报位列第一。
| 指数 | 自"924"以来累计涨幅 |
| **科创芯片设计** | **359.76%** |
| 科创芯片 | 356.15% |
| 中证半导 | 311.34% |
| 科创半导体材料设备 | 309.32% |
| 半导体材料设备 | 282.86% |
| 中证全指半导体 | 264.78% |
数据来源:WIND,统计区间2024.9.24-2026.5.20;指数历史业绩不预示未来表现。
科创板芯片设计指数十大权重 · 2026 年中报业绩一览
| 成份券 (代码) | 权重 | 营业收入 (亿元) | 营收同比 | 归母净利润 (亿元) | 归母同比 | 扣非归母 (亿元) | 经营现金流净额 (亿元) | 加权ROE | 基本EPS (元) |
| 海光信息 688041 | 10.08% | 90.99 | +66.52% | 17.98 | +49.69% | 16.31 | -4.28 | 7.56% | 0.78 |
| 澜起科技 688008 | 9.49% | 33.35 | +26.66% | 19.97 | +72.33% | 13.22 | 13.28 | 10.72% | 1.69 |
| 寒武纪 688256 | 9.49% | 59.96 | +108.13% | 23.11 | +122.61% | 21.66 | 3.11 | 18.05% | 3.68 |
| 芯原股份 688521 | 5.68% | 18.64 | +91.37% | -6.12 | 亏损扩大 | -6.22 | 6.26 | -19.29% | -1.16 |
| 东芯股份 688110 | 4.58% | 14.97 | +336.44% | 6.59 | 扭亏(上年-1.11) | 6.36 | 5.72 | 17.36% | 1.50 |
| 佰维存储 688525 | 4.22% | 155.75 | +298.10% | 71.66 | 扭亏(上年-2.26) | 66.33 | -62.61 | 78.69% | 15.28 |
| 睿创微纳 688002 | 4.18% | 43.97 | +72.84% | 12.59 | +258.78% | 12.33 | 14.35 | 17.01% | 2.72 |
| 晶晨股份 688099 | 3.31% | 43.91 | +31.86% | 6.11 | +23.00% | 5.60 | -5.02 | 7.97% | 1.45 |
| 复旦微电 688385 | 3.12% | 22.25 | +21.03% | 8.49 | +338.58% | 4.12 | 7.70 | 12.90% | 1.03 |
| 恒玄科技 688608 | 3.02% | 13.51 | -30.29% | 1.71 | -43.87% | 1.51 | 2.19 | 2.43% | 0.7223 |
数据口径:均为 2026H1 合并报表,货币单位人民币,来源为各公司巨潮网半年报摘要
【上证科创板芯片设计主题指数(950162.CSI)基本信息】
| 项目 | 内容 |
| 指数全称 | 上证科创板芯片设计主题指数 |
| 指数代码 | 950162.CSI |
| 发布机构 | 上海证券交易所、中证指数有限公司 |
| 发布日期 | 2024年7月26日 |
| 基日 | 2019年12月31日 |
| 基点 | 1,000点 |
| 样本股数量 | 50只 |
| 选样规则 | 科创板内主营业务涉及芯片设计的上市公司,按过去一年日均总市值由高到低排序取前50 |
| 单样本权重上限 | 10% |
| 加权方式 | 自由流通市值加权 |
| 调整频次 | 每年6月、12月第二个星期五下一交易日 |
数据来源:wind。
【指数核心特点】
- 精准聚焦芯片设计环节:数字芯片设计+模拟芯片设计合计权重超99%,持仓高度集中于国产替代与AI驱动下的优质增长标的。
- 科创板"硬科技"属性突出:前10大成份股多为科创板芯片设计龙头(海光信息、寒武纪、澜起科技等),全部50只成份股平均总市值608.62亿元,小盘成长风格鲜明。
- 高弹性高波动:作为科创板产品,涨跌幅限制±20%,在成长行情中具备较强爆发力,回撤期同样波动放大。
- 业绩亮眼:截至2026年9月30日,指数近3年上涨173.50%,近3年年化收益率41.41%。
(数据来源:wind,截至2026.9.30)

【前十大权重股】(截至2026.9.30)
| 序号 | 代码 | 简称 | 权重 | 主营业务 |
| 1 | 688008.SH | 澜起科技 | 9.79% | 内存接口芯片/津逮CPU |
| 2 | 688041.SH | 海光信息 | 9.48% | 通用处理器(CPU)、协处理器(DCU) |
| 3 | 688256.SH | 寒武纪 | 8.76% | 人工智能芯片 |
| 4 | 688525.SH | 佰维存储 | 6.53% | 存储器/SiP封测 |
| 5 | 688521.SH | 芯原股份 | 6.50% | 半导体IP |
| 6 | 688002.SH | 睿创微纳 | 5.87% | MEMS传感器、红外成像 |
| 7 | 688099.SH | 晶晨股份 | 3.69% | 超清视频SoC核心芯片 |
| 8 | 688766.SH | 普冉股份 | 3.33% | FPGA及其他芯片 |
| 9 | 688110.SH | 东芯股份 | 3.17% | NAND/NOR/DRAM存储芯片 |
| 10 | 688702.SH | 盛科通信-U | 3.15% | 智能音频SoC芯片 |
| — | 合计 | — | **60.27%** | — |
数据来源:wind,截至2026年9月30日。
【指数核心优势】
| 优势维度 | 具体表现 |
| 产业精准 | 唯一聚焦科创板芯片设计环节,覆盖数字芯片设计、模拟芯片设计、存储、IP、SoC等核心环节,剔除制造/封测/材料/设备波动干扰 |
| 龙头集中 | 前10大权重股合计60.27%,海光信息、寒武纪、澜起科技等科创板芯片设计龙头一网打尽 |
| 弹性突出 | 涨跌幅±20%,近一年最大单月回报32.15%,在科技成长行情中具备强爆发力 |
| 国产替代核心 | 国产替代主线逻辑下,芯片设计是产业链中价值最高、技术最密集的环节,指数精准锁定核心受益标的 |
| AI驱动共振 | 算力芯片(海光、寒武纪)+ 端侧SoC(晶晨、恒玄)+ 存储(东芯、佰维)多线受益AI算力与端侧AI双驱动 |
| 流动性充裕 | 跟踪该指数的ETF日均成交活跃,跟踪误差控制能力突出 |
数据来源:wind,截至2026年9月30日。
【基金管理人:国联安基金——"双保险系"公募】
| 项目 | 内容 |
| 公司全称 | 国联安基金管理有限公司 |
| 成立时间 | 2003年4月3日 |
| 中方股东 | 太平洋资产管理有限责任公司(51%)——中国太保(A+H+G三地上市)控股 |
| 外方股东 | 德国安联集团 Allianz(49%)——欧洲最大保险集团,旗下PIMCO管理规模超2万亿美元 |
| ETF投研团队 | 平均从业年限19年+ |
| 旗下ETF产品 | 12只,覆盖宽基、行业主题、跨境、商品等 |
| 半导体ETF国联安(512480) | 国内首批成立半导体ETF之一,规模在同类产品中居前3,全市场股票ETF第31位;持有人超36万户 |
| ETF管理总规模 | 超288亿元(2025.12.31) |
来源:国联安基金,Wind。
【科创芯片设计ETF国联安(588780)产品要素】
| 项目 | 内容 |
| 基金简称 | 科创芯片设计ETF |
| 基金代码 | 588780 |
| 基金类型 | 股票型ETF |
| 基金经理 | 章椹元、黄欣 |
| 成立日 | 2024年12月11日 |
| 上市日 | 2024年12月26日 |
| 管理费率 | 0.50%/年 |
| 托管费率 | 0.10%/年 |
| 业绩比较基准 | 上证科创板芯片设计主题指数收益率 |
| 风险等级 | R3(中风险) |
| 适合投资者范围 | 积极型(C4)及以上投资者 |
| 最小申购、赎回单位 | 200万份 |
| 涨跌幅限制 | ±20% |

数据来源:基金公告,国联安基金。
【Q&A】
Q1:科创芯片设计ETF国联安(588780)适合什么类型的投资者?
本基金属于股票型ETF,主要投资于上证科创板芯片设计主题指数成份股及备选成份股,预期风险和预期收益高于混合基金、债券基金与货币市场基金,风险等级R4(中高风险)。本基金适合看好国产芯片替代、AI算力产业链发展,希望一键布局科创板芯片设计核心资产的积极型(C4及以上)投资者,尤其适合风险偏好较高、能承受科创板±20%涨跌幅波动、追求高弹性Beta收益的投资者。
Q2:科创芯片设计ETF国联安(588780)与同类半导体ETF相比,核心区别是什么?
科创芯片设计ETF与中证全指半导体ETF主要存在3点区别:(1)聚焦环节不同:本基金仅跟踪芯片设计环节(数字+模拟合计权重超99%),剔除制造/封测/材料/设备波动干扰;半导体ETF覆盖全产业链。(2)弹性不同:本基金涨跌停±20%(科创板),半导体ETF涨跌停±10%。(3)投资市场不同:科创芯片设计ETF国联安(588780)仅投资科创板的芯片设计个股,半导体ETF国联安(512480)投资A股全板块的龙头半导体个股。
Q3:科科创芯片设计ETF国联安(588780)成立后历史表现如何?
本基金成立于2024年12月11日,成立以来完整覆盖了上证科创板芯片设计主题指数自2024年7月发布以来的主要行情。自指数基日2019年12月31日至2025年12月31日,指数总回报152.4%,在10只半导体相关指数中区间回报位列第一;自2024年9月24日行情启动以来,截至2026年5月20日,指数在上行期间累计涨幅359.76%,亦居同类指数首位。指数历史业绩不预示基金产品未来表现。(数据来源:Wind)
Q4:场外投资者(无股票账户)如何参与?
场外投资者可通过基金销售平台支付宝、微信理财通、天天基金、京东金融、雪球基金等参与联接基金(A:029413,C:029414)申购。
Q5:科创芯片设计ETF国联安(588780)的费率结构是怎样的?
本基金管理费率0.50%/年,托管费率0.10%/年。场外联接基金A类认购费按照(<500万元,0.30%;≥500万元,每笔1000元收取),C类按照0.20%收取销售服务费。详细费率以基金合同、招募说明书及销售机构公告为准。
Q6:科创芯片设计ETF国联安(588780)与半导体ETF国联安(512480)应该如何选择?
两只产品定位互补,可根据投资目标差异化配置:(1)若希望更聚焦芯片设计环节、追求高弹性:科创芯片设计ETF国联安(588780)更合适,科创板的涨跌停制度为±20%,前10大权重股占比超60%;(2)若希望覆盖半导体全产业链、波动相对更稳健:半导体ETF国联安(512480)跟踪中证全指半导体指数,覆盖设计+制造+封测+材料+设备。投资者也可采用"核心+卫星"组合,将半导体ETF作为科技板块核心仓位,将科创芯片设计ETF作为卫星仓位增强弹性。
Q7:最近芯片股跌得厉害,今后还能投资芯片股吗?
短期波动不改变中长期产业趋势。从三个维度看,半导体板块仍具备清晰的投资价值: 第一,产业景气仍在向上。全球半导体销售额自2023年11月起连续25个月同比正增长,WSTS预计2026年同比+8.5%;AI算力需求驱动北美云厂商资本开支同比+70%,2026年增速预计升至50%以上;端侧AI加速渗透,AI PC 2026年占PC市场份额有望达54.7%。需求侧持续高景气。 第二,国产替代主线长期确立。美日荷对华出口管制持续升级(2026年1月美国再对部分进口半导体加征25%关税),大基金三期3,440亿元资金定向注入,倒逼国产替代进程加速;中国GPU市场预计2029年规模3.61万亿元。政策与资金双重护航。 第三,估值已较充分释放。经过7-10月快速回调,科创50、半导体板块估值压力已较充分释放,"估值下修+盈利上修"的组合往往是中长期布局窗口。 但需注意,半导体板块属高波动品种(涨跌停±20%),历史上最大回撤可超70%。投资者应立足3-5年长期视角,避免追涨杀跌,方能把握成长赛道长期红利。
Q8:芯片板块有长远的投资机会吗?
芯片板块的长期投资机会主要建立在三条主线之上: 主线一:AI算力持续扩张。AI模型训练与推理需求推动云厂商资本开支高增,催生算力芯片(GPU、ASIC、DCU)放量;端侧AI落地拉动SoC、NPU、DRAM等芯片需求。AI是未来5-10年最具确定性的产业趋势之一。 主线二:国产替代纵深推进。从设计(GPU/CPU/SoC/存储)到制造、设备、材料、EDA、IP,全链条均存在国产替代空间。中国半导体产业增加值占全球比重持续提升,国产化率从设计到设备依次推进,国产替代是未来10年最确定的产业逻辑之一。 主线三:创新应用百花齐放。AI手机、AI PC、智能驾驶、AI眼镜、人形机器人等终端应用持续涌现,每一类终端都对应数十亿美元的芯片增量市场。半导体是所有智能终端的"心脏",下游应用的爆发最终都会传导至上游芯片。 科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪上证科创板芯片设计主题指数,前10大权重股覆盖海光信息、寒武纪、澜起科技、芯原股份、晶晨股份等龙头,能够高效映射上述三条主线下优质芯片设计公司的成长红利。
Q9:我在大跌前已经买了芯片,现在该怎么办?
被套后最危险的动作是"在最低点割肉"——历史数据显示,半导体板块每一次大调整之后,最终都创了新高,但前提是你没在恐慌中被洗出去。建议按以下思路应对: 首先,区分"浮亏"与"实亏",先按住不卖。芯片板块产业逻辑没破(AI算力+国产替代+创新应用三大主线仍在加速),短期回撤并不改变中长期趋势。账户里的浮亏只要不卖出,就只是账面波动;一旦割肉离场,就变成了真实的、可永久计入损益表的亏损。从历史经验看,被套后第一时间选择"装死等待"再决策,往往胜过第一时间"清仓求稳"。 其次,做一次"三问体检",决定下一步动作。 - 第一问"持有了多久"——持有3个月以内被套,可以接受;持有不到1个月的大跌,反而是该考虑补仓的时点(详见下文)。 - 第二问"买的钱是不是闲钱"——3-5年不会动用的钱,就具备"扛波动"的资格;若这笔钱近期需要使用,则要在情绪稳定后理性评估是否减仓,而非追涨杀跌。 - 第三问"仓位是不是过重"——单一行业ETF超过总金融资产的30%,本身就是风险信号,需要在反弹时分批再平衡,而不是继续加杠杆式补仓。 第三,设定三根纪律线,避免再被情绪化操作。 - 补仓纪律:采用"金字塔补仓法"——比起"越跌越买",更稳健的是每下跌15%-20%补一次、补仓金额逐次减半(例如跌20%补4份、跌40%补2份、跌60%补1份),把平均成本下移到相对低位。 - 持有纪律:以3-5年为持有视角,忽略日内甚至季度波动;半导体板块历史上多次出现"跌30%再涨1倍"的剧情,时间是站在长期持有人这边的。 - 止损纪律:只有在"产业逻辑被证伪"(如某龙头业绩持续低于预期、政策转向打压国产替代、ETF不再适配你风险等级)时才考虑止损出局,而不是被单一价格波动触发。纯价格止损更适合用"回撤比例"而非"金额"作为标尺(如从最高点回撤超过50%且基本面没有修复迹象)。 第四,考虑用工具优化持仓结构。 - 从个股到ETF:被套较深的如果是单一个股(如某AI芯片设计公司),可以把一部分仓位换成科创芯片设计ETF国联安(588780),用一篮子龙头分散掉"押错个股"的风险,长期持有的体验通常优于单一个股。 - 从场内到场外:没有股票账户但又想加仓的投资者,可通过ETF联接基金参与(具体以基金公司公告为准)。 - 从单一行业到"宽基+行业":若持仓已经过度集中,可以补一点宽基指数(如沪深300ETF、科创50ETF),用更稳健的底仓平抑行业波动,再拿行业ETF博弹性。 被套的本质,是市场给了你一次重新审视"仓位是否合理、产业逻辑是否还在"的机会。半导体作为"高波动+长趋势"的典型代表,最怕的不是回撤本身,而是在最低点交出筹码。立足产业大趋势、严格仓位管理、用纪律代替情绪,才能在下一轮上涨来临时真正赚到认知范围内的钱。
Q10:科创芯片设计ETF国联安(588780)的持仓会调整吗?
根据指数编制方案,上证科创板芯片设计主题指数每年6月、12月第二个星期五的下一交易日进行样本定期调整,权重因子随调整而调整;特殊情况下将对指数进行临时调整。本基金通过完全复制法跟踪指数,样本调整后本基金组合也将相应调整。来源:中证指数公司编制方案。
Q11:科创芯片设计ETF国联安(588780)的风险等级和主要风险点是什么?
本基金属于R4(中高风险)品种,主要风险点包括:(1)指数波动风险:跟踪标的指数,标的指数下跌将导致基金净值下跌;(2)科创板风险:本基金投资于科创板股票,面临科创板机制下的特有风险,包括但不限于科创板上市公司股票价格波动较大、流动性风险、退市风险等;(3)芯片设计行业集中度风险:本基金集中投资于芯片设计行业,行业系统性风险对基金净值影响较大;(4)跟踪误差风险:基金管理人力求跟踪误差最小化,但仍可能因各种原因产生偏离;(5)ETF二级市场流动性风险:ETF二级市场交易可能面临流动性不足、折溢价等风险。具体风险请以基金合同、招募说明书及基金产品资料概要为准。
相关产品费率

注:申购/赎回费为代理券商收取佣金的最高上限,实际费率以销售机构公告为准。基金有风险,投资须谨慎。
风险提示
产品风险等级:国联安科创芯片设计ETF风险等级为R4(中高),本风险等级仅为基金管理人评价结果,基金代销机构评价结果不必然与基金管理人一致,请投资者在投资前根据所适用的销售机构的风险测评以及匹配结果独立做出投资决策。
基金有风险,投资须谨慎。本资料不作为宣传材料,亦不作为任何法律文件。本资料所提供的资讯均根据或来自可靠来源,仅供参考,不构成对读者的实质性建议。本基金管理人承诺以诚实信用,勤勉尽责的原则管理和运用基金资产,但不保证本基金一定盈利,也不保证最低收益。基金的过往业绩并不预示其未来表现,基金管理人管理的其他基金的业绩并不构成特定基金业绩的保证。定期定额投资是引导投资人进行长期投资、平均投资成本的一种简单易行的投资方式。但是定期定额投资并不能规避基金投资所固有的风险,不能保证投资人获得收益,也不是替代储蓄的等效理财方式。基金详情请认真阅读本基金的招募说明书、基金合同、基金产品资料概要等法律文件。基金管理人提醒投资者基金投资“买者自负”原则,在做出投资决策后,基金运营状况与基金净值变化引致的投资风险,由投资者自行负担。基金管理人、基金托管人、基金销售机构及相关机构不对基金投资收益做出任何承诺或保证。基金管理人与股东之间实行业务隔离制度,股东并不直接参与基金财产的投资运作。
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