长鑫科技G5平台量产：国产DRAM再迭代业绩与资本双轮加速

《电鳗财经》电鳗号/文

9月20日，在2026世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产，并同步展出基于该平台的大容量LPDDR5X新品。这是继DDR5、LPDDR5/5X规模出货后，公司在高端存储微缩工艺上的又一关键落地，也与其2025年扭亏、2026年业绩高增的财务曲线形成互相印证。

G5平台从微缩工艺到单晶圆产出跃升

据长鑫科技披露，G5平台采用创新四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球顶尖内存量产节点；存储电容深宽比达45:1，并引入高介电常数金属栅（HKMG）工艺，核心功能区高度压缩至6762纳米。

最直观的产出效益是密度提升：按8Gb颗粒基准，G5每片晶圆裸片产出较第四代平台提升至少50%，对应单位成本、能效均有改善空间。大会同步亮相两款基于G5的LPDDR5X量产产品，单颗容量24Gb、较上代同类型提升50%，分别采用496Ball与245Ball封装，面向中高端智能手机、便携消费电子，均已进入规模量产。

对国产内存而言，G5的意义不只在“参数逼近”，更在于以自有IDM体系把微缩、电容、金属栅、封装验证串成可量产能力，为后续大容量手机内存、服务器DDR5迭代和更先进平台预留路径。

扭亏后高增 现金流与募资支撑扩产

G5量产的底气，来自近两年财务结构的根本性反转。2025年长鑫科技营收617.99亿元，同比增约155.6%；归母净利润18.75亿元，扣非净利润53.16亿元，终结此前连续亏损，实现年度扭亏。2022年-2024年归母净亏损分别为83.28亿元、163.40亿元、71.45亿元，2022—2024三年合计亏损超300亿元。

今年一季度，长鑫科技营收508亿元，同比增719.13%；净利润330.12亿元，去年同期为亏；归母净利润247.62亿元，同比增1688.30%。增长主因是AI算力带动DRAM供不应求、价格自2025下半年持续上行，以及公司产能利用率、产品结构同步改善。

长鑫科技发布的半年显示，今年上半年公司实现营业收入1503.1亿元，同比增长873.64%；实现归母净利润776.05亿元，同比大幅扭亏；主营业务毛利率大幅提升至84.84%。

​长鑫科技在财报中表示2026年下半年，全球DRAM产品供给紧缺格局将继续延续。公司将持续关注宏观经济波动、 地缘政治局势等外部影响，直面多重挑战，把握发展机遇，锚定全年业绩增长目标、新应用场景拓展、重点项目落地、产学研深度融合等方向发力，力争在运营效能提升、产品迭代升级、长期发展布局、 开放协同创新等方面取得更大突破，进一步强化核心竞争力，扩大市场影响力。

但业内人士也指，现阶段DRAM强周期未变，当前高增含AI涨价红利，后续若合约价回落，重资产折旧与新建产能会放大利润波动；HBM、超高端服务器内存方面，海外三巨头仍处领先，长鑫G5更多是夯实通用与低功耗基本盘，再向更高带宽场景过渡。整体看，G5量产+财务反转+募资扩产三者叠加，国产DRAM自主可控已从“替代选项”转为“规模供给”。

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