台积电A16敲定Q4量产，性能提升超8%！科创芯片ETF易方达（589130）标的指数近一年上涨超90%

截至9：33，上证科创板芯片指数（000685）跌0.11%，成分股拓荆科技涨2.92%、东芯股份涨0.8%、盛科通信-U涨0.79%、源杰科技涨0.7%、富创精密涨0.64%，普冉股份跌2.85%、仕佳光子跌1.82%、寒武纪跌1.32%、安集科技跌1.24%、华海清科跌1.17%。截至前一交易日，该指数近一年上涨90.75%。

科创芯片ETF易方达（589130）持续获得资金涌入，近六月合计净流入20.56亿元。

消息面上，台积电已完成1.6nm级A16工艺开发与验证，计划今年第四季度量产。该工艺采用背面供电网络技术“超级电源轨（SPR）”，将电源与信号线路分离，从晶圆背面供电，以减少布线瓶颈、提升能效与性能，同时保持与现有设计的兼容性。

A16瞄准AI与高性能计算市场。相较增强版2nm工艺N2P，A16在同等功耗下性能提升8%-10%，同等性能下功耗降低15%-20%，芯片密度提升8%-10%。A16被视为向1.4nm级A14过渡的中间节点，后者目标2028年量产。

与此同时，台积电持续加码先进工艺与封装产能。11日，台积电董事会批准了总额约294.425亿美元（约合41万亿韩元）的资本支出，用于先进工艺和封装等领域。

中信建投发布研报称，对照全球先进封装工艺的发展路径，中国大陆的先进封装工艺目前正处于CoWoS技术渗透率快速提升的阶段。由于中国大陆的晶圆代工厂暂未进行RDL等中段工艺量产，而OSAT厂商在2.5D/3D/CoWoS领域均有所布局。能够率先突破量产且完成产能扩张的OSAT厂商有望形成先发优势，卡位占据较高的行业份额。但伴随产业发展趋势演进，类比台积电，中国大陆的晶圆代工厂在先进封装领域的重要性同样不可忽视，Foundry在前道技术和设备产能的优势能够有助于其在先进封装技术迭代中实现追赶甚至反超。

科创芯片ETF易方达（589130）紧密跟踪上证科创板芯片指数，该指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本，以反映科创板代表性芯片产业上市公司证券的整体表现。

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