​紫金财经4月13日消息 近日，我国储存芯片领域传来一个好消息，13日上午，长江存储最新研发产品——128层QLC 3D NAND闪存，在武汉光谷宣布研发成功，这也是全球首款128层QLC闪存。

据了解，最新的128层产品共有两款，分别是128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）、128层512Gb TLC（3bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060）。

据悉，长江存储用三年时间直接从64层产品发展至128层产品，跳过了96层产品。128层系列产品采用的是2.0版本的Xtacking技术，具有1.6Gb/s的高速读写性能及1.33Tb高容量。

为满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求，128层产品拥有QLC 3D NAND闪存，其内存方面与业内已知型号产品相比，荣获“三最”，分别是“最高单位面积存储密度”、“最高I/O传输速度”和“最高单颗NAND闪存芯片容量”。

长江存储市场与销售高级副总裁龚翊（Grace）表示，作为闪存行业的新人，长江存储用3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。他指出，长江存储128层系列产品将会为合作伙伴带来更大的价值，具有广阔的市场应用前景。128层QLC版本将率先应用于消费级SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域。

SSD领域市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师Gregory Wong认为，QLC降低了NAND闪存单位字节（Byte）的成本，更适合作为大容量存储介质。随着主流消费类SSD容量迈入512GB及以上水平，QLC SSD未来市场增量将非常可观。（紫金财经综合）